II dio Mikroprocesor
2.4. Tehnologija izrade mikroprocesora

2.4.3. Neke tehnologije izgradnje bržih čipova

2.4.3.2. Silicijum na izolatoru

Silicijum na izolatoru (SOI, eng. silicon-on-insulator) predstavlja tanak sloj silicijuma na vrhu izolatora kao što je staklo (tj. silicijum oksid). Na tom sloju mogu da se smještaju tranzistori koji brže rade jer SOI redukuje interni kapacitet prekidača.

Slika 9. Efekat umetanja izolatora u MOS tranzistor

Mikroprocesorski čipovi konstruisani sa SOI imaju 20-25% kraće vrijeme izvršavanja instrukcionog ciklusa i 25-30% bolje performanse od odgovarajućih čipova napravljenih u čistoj CMOS tehnologiji. Pored brzine, druge prednosti SOI su:

• Manja potrošnja struje. SOI čipovi mogu da rade na manjem naponu od CMOS čipova, što je jako značajno kod različitih primjena u prenosivim i bežičnim uređajima.
• Manja mogućnost pojave tzv. “mekih” grešaka koje nastaju zbog promjene sadržaja od strane kosmičkog i pozadinskog zračenja. Zbog ove otpornosti, jedna od prvih primjena SOI je bila za konstrukciju memorija u uređajima korišćenim u svemirskim brodovima.

Tehnologija sa bakarnim vezama    <    Index    >    Silicijum-germanijum tehnologija